HMDS與硅片反應(yīng)機(jī)理如圖：首先加熱到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS與表面的OH一反應(yīng)，在硅片表而生成硅醚，消除氫鍵作，從而使極性表面變成非極性表面。

HMDS真空箱,HMDS系統(tǒng)真空烘箱技術(shù)參數(shù)：

電源電壓：AC 220V±10%/50Hz±2%

輸入功率：2400W

控溫范圍：室溫+10℃-250℃

溫度分辨率：0.1℃

溫度波動(dòng)度：±0.5℃

達(dá)到真空度：133Pa

容積：90L

工作室尺寸（mm）：450*450*450

HMDS真空箱,HMDS系統(tǒng)真空烘箱的一般工作流程：

    首先確定烘箱工作溫度。典型的預(yù)處理程序?yàn)椋捍蜷_真空泵抽真空，待腔內(nèi)真牢度達(dá)到某一高真空度后，開始充人氮?dú)?，充到達(dá)到某低真空度后，冉次進(jìn)行抽真空、充入氮?dú)獾倪^程，到達(dá)設(shè)定的充入氮?dú)獯螖?shù)后，開始保持一段時(shí)間，使硅片充分受熱，減少硅片表面的水分。然后再次開始抽真空，充入HMDS氣體，在到達(dá)設(shè)定時(shí)間后，停止充入HMDS藥液，進(jìn)入保持階段，使硅片充分與HMDS反應(yīng)。當(dāng)達(dá)到設(shè)定的保持時(shí)間后，再次開始抽真空。充入氮?dú)?，完成整個(gè)作業(yè)過程。HMDS與硅片反應(yīng)機(jī)理如圖：首先加熱到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS與表面的OH一反應(yīng)，在硅片表而生成硅醚，消除氫鍵作，從而使極性表面變成非極性表面。整個(gè)反應(yīng)持續(xù)到空間位阻（*基硅烷基較大）阻止其進(jìn)一步反應(yīng)。

    尾氣排放等：多余的HMDS蒸汽（尾氣）將由真空泵抽出，排放到廢氣收集管道。在無廢氣收集管道時(shí)需做專門處理。